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11月扒一扒SiC电力电子器件技术那些事儿

* 来源 :http://www.freshyseo.com * 作者 : * 发表时间 : 2018-03-14 09:25 * 浏览 :

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  目前碳化硅电力电子器件技术专场分会,阵型已渐露阵容,大腕云集,看点十足。为了360度全方位分会的高水准,分会采用召集人++分会团的模式,兼顾产学研,每一环节都有超强专家的鼎力支持。

  据国外报道,据科学家估计,有九分之一的女性会出现产后抑郁症状。这些症状包括情绪波动,感到疲劳以及对活动的兴趣减少,往往会影响到这些母亲与新生儿的关系。而最新的研究发现,在短短的18个月时间里,婴儿可能会出现与压力相关的细胞损伤。

  盛况主要从事电力电子器件及电力电子集成电领域的研究,主持国家863项目、国家科技重大专项项目、国家自然基金项目,以及其他省部级项目等近10项。2002-2009在美国Rutegers大学(即州大学)任教;2009年被评为教育部长江学者,担任浙江大学电气工程学院特聘教授。2010年入选浙江省千人计划;2012年入选“十二五”863计划先进能源技术领域新型电力电子关键技术主题专家;任电力电子领域权威期刊IEEE Transactions on Power Electronic和IEEE Transactions on Industry Applications副主编。

  越来越多的人已经意识到:技术对于创造一个没有的世界,常有潜力的。

  分会召集人由全球能源互联网研究院党组、副院长,输配电及节电技术国家工程研究中心主任邱宇峰和浙江大学教授,教育部长江学者,特聘教授,博士生导师盛况共同担任。

  广西大学教授冯哲川也将分享其最新研究,冯哲川从事第三代半导体研发超过二十年,包括碳化硅和III族氮化物的研究, 至今编辑出版了半导体及显微结构,多孔硅,碳化硅,III族氮化物,氧化锌及奈米工程领域多本英文专书,发表过600多篇学术论文(超过250篇SCI收录)引用超3500次。

  分会委员于坤山,第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长、国联万众半导体科技有限公司副总裁、教授级高级工程师。于坤山长期从事电力电子,微电子,电能质量等领域技术研究、产品研发、工程应用、标准化等工作。在电力系统电能质量、定制电力、FACTS等方面取得了有影响力的。目前主要从事第三代半导体产业链建设及其系统解决方案、知识产权、标准化和平台技术研究,探索第三代半导体技术与能源互联网建设相结合的途径。

  其中,以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等为代表的第三代半导体材料,具有高击穿场强、高热导率、高电子饱和速率、高抗辐射能力等优越性能,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景,可望成为支撑信息、能源、交通、国防等发展的重点新材料,正在成为全球半导体产业新的战略高地。

  此次跨国技术转移大会,由中国科技部与市人民主办,从2011年创办至今,已连续举办五届,已成功打造中国国际创新合作第一会议平台,助力建设全国科技创新中心与国际交往中心。今年的跨国技术转移大会将覆盖众多科技、产业创新热点领域,吸引更多在跨国技术转移合作实践之中具有互补性的国家和地区参与。

  邱宇峰曾担任电力行业电能质量及柔性输电标准化技术委员会主任。主要从事柔性输电、高压直流输电和电力系统继电等领域的研发工作。是中国大功率电力电子技术的主要开创者之一。主持完成了国家973、863项目等多项研究,完成了中国第一台用于输电系统的静止无功补偿器、世界首台1000kV补偿装置、800kV特高压直流换流阀及世界首个200kV直流断器等技术研发与工程应用,为特高压电网及智能电网在中国的建设和发展做出了积极贡献。

  国内外的精英们齐聚一堂,高质量的精彩报告当然是少不了的,分会外方伦斯勒理工大学教授周达成,分会、西安交通大学电信学院教授、博士生导师,千人计划国家特聘专家张安平,分会、山东大学教授徐现刚,分会召集人、全球能源互联网研究院党组、副院长、输配电及节电技术国家工程研究中心主任、教授级高工邱宇峰和分会召集分、浙江大学教授、教育部长江学者、特聘教授、博士生导师盛况等都将做精彩特邀报告,分享关于碳化硅器件的最新研究进展。

  本次分会委员团队同样星光熠熠,力邀多位国内外的权威专家共同坐镇。分会张安平,西安交通大学电信学院教授,博士生导师,千人计划国家特聘专家,IEEE高级会员,曾任美国EMCORE公司研究工程师,美国通用电气公司研究中心资深科学家和项目负责人。

  分会徐现刚,山东大学教授,师从于蒋民华院士。教育部长江计划的特聘教授, 973首席科学家。主要从事半导体材料制备及其应用研究的工作。 自1989年至今一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料的生长及器件应用工作,制备出多种量子异质结构材料,应用到多种半导体器件如:半导体激光器、发光二极管等。自2000年开始SiC单晶生长和加工工作,先后突破了2~6英寸SiC单晶的生长与衬底加工技术,解决了超硬SiC单晶衬底的加工难题,制备出基于SiC衬底的GaN超高亮度发光二极管。先后承担了多项863、973、国家重大专项等课题。获得多项表彰和励,如1995年洪堡学者,1999年在美国获得由IEEE颁发的Best Paper Award,2000年获得“国家杰出青年基金”,2003年“科技进步一等”、“留学回国创业”,2005年获“十大杰出青年”,2007年获“特殊津贴”,2013年获得“技术发明一等”等。至今已发表超过150篇相关论文及会议报告。

  据透社时间2月22日报道,以色列经济部长伊莱·科恩(Eli Cohen)周三在与英特尔公司会谈后表示,英特尔计划投资50亿美元扩大以色列南部水牛城(Kiryat Gat)芯片工厂的产能。

  受市科委邀请,第十三届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2016)将移师,于2016年11月15日至17日在国际会议中心召开。并将与2016中国()跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛同期同地(以下简称“跨国技术转移大会”)举行,交相辉映。

  特斯拉推出的第一款大众款电动车Model 3,迄今为止获得了50万辆销量,但是消费者最关心的是自己的订单何时能够交付。最近外媒传出了还需要等待更长时间的报道。

  分会张玉明,西安电子科技大学微电子学院教授、院长,主要从事高性能半导体器件领域的研究工作,包括(1)高温高频大功率宽禁带半导体器件和材料(SiC);(2)模拟(射频)集成电设计;(3)自旋电子学;(4)半导体器件模型和模拟;(5)半导体器件抗辐照加固技术等。他同时是国防科技重点学科“宽带隙半导体技术”重点实验室主任,全国重点学科微电子学与固体电子学博士导师,国际IEEE学会高级会员,IEEE-ED陕西分会。

  格里菲斯大学微电子工程学院教授,兼昆士兰微型和纳米技术中心副主任Sima Dimitrijev也将带来“后硅时代”的电力电子器件的特邀分享。Sima Dimitrijev曾先后就职于尼什的电子业半导体工厂、尼什大学的电子工程学院、格里菲斯大学。他是IEEE的资深会士,同时还是Pergamon-Elsevier出版的《Microelectronics Reliability》的编辑顾问委员会会员。同时他还参与了工业联盟计划。目前他的研究重点是碳化硅电子,特别是碳化硅金属氧化物半导体器件。

  名古屋大学教授宇治原徹也将做特邀报告,宇治原徹目前是名古屋大学未来电气可持续材料及系统研究所教授。其专业领域包括晶体生长、溶液生长、汽相生长、碳化硅、功率器件、太阳能电池、半导体光电、旋转观察、生物设备、半导体质膜混合器件和脂质二重层。研究领域包括应用材料科学、晶体工程、电子材料、电气材料和金属的物质。

  伦斯勒理工大学教授周达成受邀担任本次分会外方,周达成1977年至1989年,就职于美国通用电气公司位于纽约州斯克内克塔迪市的研发中心。1989年开始他在伦斯勒理工学院电气、系统和计算机工程系工作。期间,获得1982年度电化学学会的固态科学技术青年作者,并在1986年被奥古斯塔纳学院授予地平线篇科学期刊论文,过百的大会,给四本技术型教科书写过章节,并拥有超过10个专利。他同时也是IEEE的资深会士。目前其研究重点包括:发展新器件概念;高压电力设备和集成电模型;研究硅和宽禁带化合物半导体;超大规模集成化金属一体化工艺。

  作为一种新型的宽禁带半导体材料,碳化硅因其出色的物理及电特性,正越来越受到产业界的广泛关注。超强的阵容组合,加上高质量的内容,本次分会将全方位呈现当前碳化硅电力电子器件的研究进展,技术进展如何?有哪些趋势?相信你想知道的,都会有答案。11月15日,我们见!

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  韩国东义大学先进材料工程系教授、电子陶瓷研究中心(ECC)副主任Won-Jae LEE也将做关于碳化硅电力电子器件最新研究的特邀报告,Won-Jae LEE一直专注SiC等材料的研究,曾先后在际期刊上发表约180篇论文,注册有50个专利(包括5个美国专利)。

  本届跨国技术转移大会,将从技术、产业、应用等全链条策划,通过高峰论坛、专题研讨、应用峰会、合作论坛和创新大赛等多种形式,围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用设置,包括碳化硅电力电子器件、氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术、第三代半导体与固态紫外器件等多个专场重点讨论。

  据外媒报道,亚马逊的无人超市Amazon Go推出后便备受赞誉,这种未来派的便利店可能看起来很像是一个疯狂的实验,但是据知情人士透露,该公司计划今年再增开6家这种无人超市。

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  分会委员柏松,宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任、中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员。他一直致力于SiC器件的研发,在国内首先实现了击穿电压超过10kV的SiC肖特基二极管和SiCPiN二极管,在高压SiC JFET和SiC MOSFET技术开发方面也取得了重要。负责承担和完成多项国家科技重大专项、高技术研究发展计划等重大科研项目,申请发明专利17项,其中授权8项,曾获国防科技进步一等一项。